Sapphire Al2O3 Wafer & Ingot Featured Image

Sapiro Al₂O₃Wafer ug Ingot

Deskripsyon

Sapphire Single Crystal Wafer & Ingotor Aluminum Oxide Al₂O₃Ang 99.999% min, nailhan usab nga puti nga mga bato, anisotropic hexagonal nga istruktura, usa ka maayo kaayo nga multi-purpose nga materyal nga adunay talagsaon nga optical properties, pisikal nga mga kabtangan ug kemikal nga mga kabtangan, nga adunay grabe nga katig-a sa nawong, taas nga thermal conductivity, taas nga dielectric nga kanunay, maayo kaayo nga transparency ug maayo. kemikal nga kalig-on nga adunay pagbatok sa komon nga kemikal nga mga asido ug alkali.Sapiro Usa ka Crystal o Aluminum Oxide usa ka kristal nga Al₂O₃Ang 99.999% nga kaputli sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong ihatod sa gidak-on sa diametro nga 2″, 4″ ug 6″ (50mm, 100mm, 150mm) nga wafer ug ingot, nga adunay paghuman sa ibabaw sa etched, polished o epi-ready nga proseso.Ang bisan unsang gipahiangay nga detalye ug gidak-on mao ang prefect nga solusyon sa among mga kostumer sa tibuuk kalibutan.

Mga aplikasyon

Tungod sa kalig-on sa istruktura sa ikaduha nga labing gahi nga kristal sunod sa mga diamante, ang Sapphire nga kristal kaylap nga gigamit sa paghimo sa usa ka kristal nga substrate, superconducting film substrate nga materyal, asul, purpura ug puti nga light emitting diodes LEDs, taas nga temperatura nga infrared nga bintana, ug usa ka asul nga laser LD Industrial gipalabi substrate.Ang Single Crystal Sapphire o usa ka kristal nga aluminum oxide Al2O3 mapuslanon sa transmission range gikan sa 0.2-5.5 μm ingon man sa ubang advanced power semiconductors manufacturing nga industriya.

Inquiry karon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal nga Detalye

Sapphire Crystal Al₂O₃

Sapiro nga Kristal, uban sa kalig-on sa estruktura sa ikaduha nga pinakalisud nga kristal sunod sa mga diamante, kaylap nga gigamit sa paghimo sa usa ka kristal nga substrate, superconducting film substrate nga materyal, asul, purpura ug puti nga light emitting diodes LEDs, taas nga temperatura nga infrared nga bintana, ug usa ka asul nga laser. Gipili nga substrate sa LD Industrial.Ang Single Crystal Sapphire o usa ka kristal nga aluminum oxide Al2O3 mapuslanon sa transmission range gikan sa 0.2-5.5 μm ingon man sa ubang advanced power semiconductors manufacturing nga industriya.

Dili.	Mga butang	Standard nga Espesipikasyon
1	Diametro mm	50.8±0.05	100±0.1	150±0.2
2	Pamaagi sa Pagtubo	HEM	HEM	HEM
3	orientasyon	(CA) o (CM)	(CA) o (CM)	(CA) o (CM)
4	Panguna nga Flat Lokasyon	A-axis ± 0.2°	A-axis ± 0.2°	A-axis ± 0.2°
5	Panguna nga Patag nga Gitas-on mm	16±0.5	30±0.5	47.5±0.5
6	Gibag-on μm	430±10	650±20	1300±20
7	TTV μm max	5	10	15
8	Bow μm max	5	10	15
9	Warp μm max	8	15	30
10	Paghuman sa nawong	P/E	P/E	P/E
11	Pagkagahi sa nawong nm	<0.2 (epi-ready, para sa gipasinaw nga nawong)
12	Pagputos	Sa vacuum bag nga puno sa nitrogen atmospera
13	Mga komento	Ingot ug bulk hangtod sa 8" magamit kung gihangyo.

Linear nga Pormula	Al₂O₃
Molekular nga Timbang	101.96
Kristal nga istruktura	Hexagonal
Panagway	Translucent nga solid
Punto sa Pagkatunaw	2050 °C, 3720 °F
Nagbukal nga Punto	2977 °C, 5391 °F
Densidad sa 300K	4.0 g/cm³
Gap sa Enerhiya	N/A
Intrinsic nga resistivity	1E16 Ω-cm
Numero sa CAS	1344-28-1
Numero sa EC	N/A

Sapphire Single CrystaloAluminum Oksidausa ka kristal nga Al₂O₃Ang 99.999% nga kaputli sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong ihatod sa gidak-on sa diametro nga 2″, 4″ ug 6″ (50mm, 100mm, 150mm) nga wafer ug ingot, nga adunay surface finish sa etched, polished o epi-ready nga proseso.Ang bisan unsang gipahiangay nga detalye ug gidak-on mao ang prefect nga solusyon sa among mga kostumer sa tibuuk kalibutan.