Indium Phosphide InP

Deskripsyon

Indium Phosphide InP,CAS No.22398-80-7, melting point 1600°C, usa ka binary compound semiconductor sa III-V nga pamilya, usa ka face-centered cubic "zinc blende" crystal structure, susama sa kadaghanan sa III-V semiconductors, gi-synthesize gikan sa 6N 7N taas nga purity indium ug phosphorus elemento, ug mitubo ngadto sa usa ka kristal pinaagi sa LEC o VGF teknik.Ang kristal nga Indium Phosphide gi-doped aron mahimong n-type, p-type o semi-insulating conductivity para sa dugang nga paghimo sa wafer hangtod sa 6 ″ (150 mm) nga diyametro, nga adunay direkta nga gintang sa banda, labi ka taas nga paglihok sa mga electron ug mga lungag ug episyente nga thermal. conductivity.Ang Indium Phosphide InP Wafer prime o grado sa pagsulay sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong itanyag nga adunay p-type, n-type ug semi-insulating conductivity sa gidak-on nga 2 "3" 4" ug 6" (hangtod sa 150mm) nga diyametro, oryentasyon <111> o <100> ug gibag-on 350-625um uban sa ibabaw nga finish sa etched ug gipasinaw o Epi-andam nga proseso.Samtang ang Indium Phosphide Single Crystal ingot 2-6 ″ magamit kung gihangyo.Ang Polycrystalline Indium Phosphide InP o Multi-crystal InP ingot sa gidak-on nga D(60-75) x Length (180-400) mm nga 2.5-6.0kg nga adunay carrier nga konsentrasyon nga ubos sa 6E15 o 6E15-3E16 anaa usab.Ang bisan unsang gipahiangay nga detalye nga magamit kung gihangyo aron makab-ot ang hingpit nga solusyon.

Mga aplikasyon

Ang Indium Phosphide InP wafer kaylap nga gigamit alang sa paghimo sa optoelectronic nga mga sangkap, high-power ug high-frequency nga elektronik nga aparato, ingon usa ka substrate alang sa epitaxial indium-gallium-arsenide (InGaAs) nga nakabase sa opto-electronic nga mga aparato.Ang Indium Phosphide naa usab sa paghimo alang sa labi ka maayong mga gigikanan sa kahayag sa komunikasyon sa optical fiber, mga aparato nga gigikanan sa gahum sa microwave, mga amplifier sa microwave ug mga aparato sa gate FET, mga high-speed modulator ug photo-detector, ug satellite navigation ug uban pa.

Inquiry karon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal nga Detalye

Indium Phosphide InP

Indium Phosphide Single CrystalAng Wafer (InP crystal ingot o Wafer) sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong itanyag nga adunay p-type, n-type ug semi-insulating conductivity sa gidak-on nga 2 "3" 4" ug 6" (hangtod sa 150mm) nga diyametro, oryentasyon <111> o <100> ug gibag-on 350-625um uban sa ibabaw nga finish sa etched ug gipasinaw o Epi-andam nga proseso.

Indium Phosphide Polycrystallineo Multi-Crystal ingot (InP poly ingot) sa gidak-on sa D(60-75) x L(180-400) mm sa 2.5-6.0kg uban sa carrier konsentrasyon sa ubos pa kay sa 6E15 o 6E15-3E16 anaa.Ang bisan unsang gipahiangay nga detalye nga magamit kung gihangyo aron makab-ot ang hingpit nga solusyon.

Dili.	Mga butang	Standard nga Espesipikasyon
1	Indium Phosphide Single Crystal	2"	3"	4"
2	Diametro mm	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Pamaagi sa Pagtubo	VGF	VGF	VGF
4	Conductivity	P/Zn-doped, N/(S-doped o un-doped), Semi-insulating
5	orientasyon	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Gibag-on μm	350±25	600±25	600±25
7	Patag nga orientasyon mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Identification Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Kalihokan cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	Konsentrasyon sa Tagdala cm-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Bow μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dislokasyon Densidad cm-2 max	500	1000	2000
15	Paghuman sa nawong	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pagputos	Usa ka wafer nga sudlanan nga gisilyohan sa aluminum composite bag.

Dili.	Mga butang	Standard nga Espesipikasyon
1	Indium Phosphide Ingot	Poly-Crystalline o Multi-Crystal Ingot
2	Gidak-on sa Kristal	D(60-75) x L(180-400)mm
3	Timbang kada Crystal Ingot	2.5-6.0Kg
4	Kalihokan	≥3500 cm²/VS
5	Konsentrasyon sa Carrier	≤6E15, o 6E15-3E16 cm^-3
6	Pagputos	Ang matag InP nga kristal nga ingot anaa sa selyadong plastic bag, 2-3 ka ingot sa usa ka karton nga kahon.

Linear nga Pormula	InP
Molekular nga Timbang	145.79
Kristal nga istruktura	Pagsagol sa zinc
Panagway	Crystalline
Punto sa Pagkatunaw	1062°C
Nagbukal nga Punto	N/A
Densidad sa 300K	4.81 g/cm³
Gap sa Enerhiya	1.344 eV
Intrinsic nga resistivity	8.6E7 Ω-cm
Numero sa CAS	22398-80-7
Numero sa EC	244-959-5

Indium Phosphide InP Waferkaylap nga gigamit alang sa paghimo sa optoelectronic nga mga sangkap, high-power ug high-frequency nga elektronik nga mga aparato, ingon usa ka substrate alang sa epitaxial indium-gallium-arsenide (InGaAs) nga nakabase sa opto-electronic nga mga aparato.Ang Indium Phosphide naa usab sa paghimo alang sa labi ka maayong mga gigikanan sa kahayag sa komunikasyon sa optical fiber, mga aparato nga gigikanan sa gahum sa microwave, mga amplifier sa microwave ug mga aparato sa gate FET, mga high-speed modulator ug photo-detector, ug satellite navigation ug uban pa.