CZ Silicon Wafer

Deskripsyon

CZ Single Crystal Silicon Wafer gihiwa gikan sa usa ka kristal nga silicon ingot nga gibira sa Czochralski CZ nga pamaagi sa pagtubo, nga labing kaylap nga gigamit alang sa pagtubo sa silikon nga kristal sa dagkong mga cylindrical ingots nga gigamit sa industriya sa elektroniko aron makahimo mga aparato nga semiconductor.Niini nga proseso, ang usa ka nipis nga liso sa kristal nga silicon nga adunay tukma nga orientasyon nga pagtugot gipaila sa tinunaw nga kaligoanan sa silikon kansang temperatura tukma nga kontrolado.Ang kristal nga binhi hinay-hinay nga gibira pataas gikan sa pagkatunaw sa usa ka kontrolado kaayo nga rate, ang kristal nga solidification sa mga atomo gikan sa usa ka likido nga hugna mahitabo sa usa ka interface, ang liso nga kristal ug ang crucible gipatuyok sa atbang nga direksyon sa panahon sa proseso sa pag-atras, nga nagmugna sa usa ka dako nga single. kristal nga silicon nga adunay hingpit nga kristal nga istruktura sa liso.

Salamat sa magnetic field nga gipadapat sa standard CZ ingot pulling, Magnetic-field-induced Czochralski MCZ single crystal silicon kay medyo ubos nga konsentrasyon sa impurity, ubos nga lebel sa oxygen ug dislokasyon, ug uniporme nga resistivity variation nga maayo ang performance sa high technology nga electronic components ug device. paghimo sa electronic o photovoltaic nga mga industriya.

Paghatud

Ang CZ o MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-type ug p-type conductivity sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong ihatod sa gidak-on nga 2, 3, 4, 6, 8 ug 12 pulgada nga diyametro (50, 75, 100, 125, 150, 200 ug 300mm), orientation <100>, <110>, <111> nga adunay ibabaw nga paghuman sa lapped, etched ug gipasinaw sa pakete sa foam box o cassette nga adunay karton nga kahon sa gawas.

Inquiry karon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal nga Detalye

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer mao ang nag-unang materyal sa produksyon sa integrated circuits, diodes, transistors, discrete components, nga gigamit sa tanan nga mga matang sa elektronik nga mga ekipo ug semiconductor mga himan, ingon man usab sa substrate sa epitaxial pagproseso, SOI wafer substrate o semi-insulating compound wafer fabrication, ilabi na sa dako nga. diametro sa 200mm, 250mm ug 300mm mao ang kamalaumon alang sa manufacturing ultra kaayo integrated mga himan.Ang Single Crystal Silicon gigamit usab alang sa mga solar cell sa daghang gidaghanon sa industriya sa photovoltaic, nga hapit hingpit nga kristal nga istruktura naghatag sa labing taas nga pagkaayo sa pagkakabig sa kahayag-sa-kuryente.

Dili.	Mga butang	Standard nga Espesipikasyon
1	Gidak-on	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diametro mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	Conductivity	P o N o un-doped
4	orientasyon	<100>, <110>, <111>
5	Gibag-on μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o kung gikinahanglan
6	Resistivity Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 ug uban pa
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Panguna nga Patag/Gitas-on mm	Ingon nga sumbanan sa SEMI o kung gikinahanglan
9	Ikaduha nga Patag/Gitas-on mm	Ingon nga sumbanan sa SEMI o kung gikinahanglan
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Paghuman sa nawong	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Pagputos	Foam box o cassette sa sulod, karton nga kahon sa gawas.

Simbolo	Si
Numero sa Atom	14
Atomic nga Timbang	28.09
Elemento nga Kategorya	Metalloid
Grupo, Panahon, Block	14, 3, P
Kristal nga istruktura	Diamond
Kolor	Dark gray
Punto sa Pagkatunaw	1414°C, 1687.15 K
Nagbukal nga Punto	3265°C, 3538.15 K
Densidad sa 300K	2.329 g/cm³
Intrinsic nga resistivity	3.2E5 Ω-cm
Numero sa CAS	7440-21-3
Numero sa EC	231-130-8

CZ o MCZ Single Crystal Silicon Wafern-type ug p-type conductivity sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong ihatod sa gidak-on sa 2, 3, 4, 6, 8 ug 12 pulgada nga diametro (50, 75, 100, 125, 150, 200 ug 300mm), oryentasyon <100>, <110>, <111> uban sa ibabaw nga finish sa as-cut, lapped, etched ug gipasinaw sa pakete sa foam kahon o cassette uban sa karton kahon sa gawas.