FZ NTD Silicon Wafer

Deskripsyon

FZ-NTD Silicon Wafer, nailhan nga Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.Ang walay oxygen, taas nga kaputli ug labing taas nga resistivity silicon mahimong makuha by Float-zone FZ ( Zone-Floating) nga pagtubo sa kristal, High resistivity FZ silicon nga kristal sagad doped pinaagi sa Neutron Transmutation Doping (NTD) nga proseso, diin neutron irradiation sa undoped float zone silicon sa paghimo sa silicon isotopes natanggong sa neutrons ug unya madunot ngadto sa gitinguha dopants sa pagkab-ot sa doping tumong.Pinaagi sa pag-adjust sa lebel sa neutron radiation, ang resistivity mahimong mausab nga walay pagpaila sa external dopants ug busa garantiya sa materyal nga kaputli.Ang FZ NTD silicon wafers (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) adunay premium nga teknikal nga mga kabtangan sa uniporme nga doping nga konsentrasyon ug uniporme nga radial resistivity distribution, pinakaubos nga lebel sa kahugawan,ug taas nga minoriya nga carrier sa tibuok kinabuhi.

Paghatud

Ingon usa ka nanguna sa merkado nga tigsuplay sa NTD silicon alang sa pagsaad nga mga aplikasyon sa kuryente, ug pagsunod sa nagkadako nga panginahanglan alang sa labing taas nga kalidad nga mga wafer sa lebel, labing maayo nga FZ NTD silicon wafer.sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong itanyag sa among mga kustomer sa tibuok kalibutan sa lain-laing gidak-on gikan sa 2″, 3″, 4″, 5″ ug 6″ diametro (50mm, 75mm, 100mm, 125mm ug 150mm) ug halapad nga resistivity 5 ngadto sa 2000 ohm.cm sa <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> nga mga oryentasyon nga adunay as-cut, lapped, etched ug polished surface finish sa package sa foam box o cassette , o ingon nga gipahiangay nga detalye sa hingpit nga solusyon.

Inquiry karon

Mga Detalye

Mga tag

Teknikal nga Detalye

FZ NTD Silicon Wafer

Ingon usa ka nanguna sa merkado nga supplier sa FZ NTD silicon alang sa nagsaad nga mga aplikasyon sa kuryente, ug pagsunod sa nagkadako nga panginahanglan alang sa labing taas nga kalidad nga lebel nga mga wafer, ang labing maayo nga FZ NTD silicon wafer sa Western Minmetals (SC) Corporation mahimong itanyag sa among mga kostumer sa tibuuk kalibutan sa lainlaing gidak-on gikan sa 2 ″ ngadto sa 6″ ang diametro (50, 75, 100, 125 ug 150mm) ug halapad nga resistivity 5 hangtod 2000 ohm-cm sa <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> mga oryentasyon nga adunay lapped, etched ug gipasinaw nga paghuman sa ibabaw sa pakete sa foam box o cassette, karton nga kahon sa gawas o ingon nga customized nga detalye sa hingpit nga solusyon.

Dili.	Mga butang	Standard nga Espesipikasyon
1	Gidak-on	2"	3"	4"	5"	6"
2	Diametro	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	Conductivity	n-tipo	n-tipo	n-tipo	n-tipo	n-tipo
4	orientasyon	<100>, <111>, <110>
5	Gibag-on μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o kung gikinahanglan
6	Resistivity Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 o kung gikinahanglan
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Bow/Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Tibuok kinabuhi nga carrier μs	>200, >300, >400 o kon gikinahanglan
11	Paghuman sa nawong	As-cut, Lapped, Pinasinaw
12	Pagputos	Foam box sa sulod, karton nga kahon sa gawas.

Panguna nga Parameter sa Materyal

Simbolo	Si
Numero sa Atom	14
Atomic nga Timbang	28.09
Elemento nga Kategorya	Metalloid
Grupo, Panahon, Block	14, 3, P
Kristal nga istruktura	Diamond
Kolor	Dark gray
Punto sa Pagkatunaw	1414°C, 1687.15 K
Nagbukal nga Punto	3265°C, 3538.15 K
Densidad sa 300K	2.329 g/cm³
Intrinsic nga resistivity	3.2E5 Ω-cm
Numero sa CAS	7440-21-3
Numero sa EC	231-130-8

FZ-NTD Silicon Waferusa ka hinungdanon nga importansya alang sa mga aplikasyon sa taas nga gahum, mga teknolohiya sa detector ug sa mga aparato nga semiconductor nga kinahanglan molihok sa grabe nga mga kondisyon o kung diin kinahanglan ang pagbag-o sa resistensya sa tibuuk nga wafer, sama sa gate-turn-off thyristor GTO, static induction thyristor SITH, higante transistor GTR, insulate-gate bipolar transistor IGBT, dugang HV diode PIN.Ang FZ NTD n-type nga silicon wafer usa usab ka nag-unang functional nga materyal alang sa nagkalain-laing frequency converters, rectifiers, dako nga power control elements, bag-ong power electronic device, photoelectronic device, silicon rectifier SR, silicon control SCR, ug optical components sama sa mga lente ug bintana. alang sa terahertz nga mga aplikasyon.